采用新型晶体管技术的SOTB制程工艺助力环保
2020年10月28日,由深圳市工信局、深圳市福田区人民政府领导,由高新技术行业门户OFweek维科网络主办,由OFweek维科网络电子工程主办“2020中国国际集成电路产业创新发展高峰(60 演讲报告中多次提到SOTB过程。 采用新型晶体管技术的SOTB工艺技术是环境保护瑞萨电子(中国)有限公司技术支持专家王干SOTB工艺技术SOTB工艺技术是采用SOI (Silicon on Insulator )的新型晶体管技术。 王干表示,作为文艺复兴电子的垄断过程,SOTB通常可以将难以兼顾的活动时消耗电力和休眠时消耗电力降低到极限,同时还可以支持一个芯片上的SOTB和Bulk的混合结构。
在晶片基板上的薄硅层下面形成有极薄的绝缘层(盒:buriedoxide )。 通过防止杂质混入硅层,可以实现稳定的低电压运行,能量效率更好,发挥更好的运算性能。 另外,待机时通过控制BOX层下的硅基板电位(反偏压控制),可以减少漏电流,降低待机能量。 由于SOTB的芯片采用了薄的BOX结构,所以容易去除BOX,能够在同一芯片上形成SOTB晶体管和Bulk CMOS晶体管。
这允许使用现有Bulk 产品的IP、I/O端口、电荷泵、各种模拟IP等。 RE家族特性瑞萨RE 产品家族采用瑞萨划时代的SOT BTM (SIlicononthinburiedoxide薄氧化嵌入层硅)工艺,基于Arm Cortex-M0核构建,在传感器控制的王干特别介绍了RE01。 RE01在操作和待机期间具有非常低的功耗。 1.62V可以运行到高达64MHz,ULP-CP得分705获得了EEMBC认证。 在只有少量电流的环境下,可实现长电池寿命和高速运转,提供以往无法实现的值。 那么,如何环保呢? 王干表示,RE家族通过支持电源模式、低功耗模式、电源控制模式三个节电功能来降低功耗。
1 .通过切断不必要的电源来降低功耗。 2 .停止时钟,执行必要的最小限度的功能,从而降低功耗。 3 .通过控制功率控制模式内部LDO,通过使用高效的外部DCDC,可以大幅降低有效电流。 随着可持续发展观念的深入人心环境保护也成为科技企业发展道路上不可忽视的重要一环。 如何通过科学技术的发展保护环境值得所有科学技术企业深入探索。 科学技术的价值是使一切成为可能。 瑞萨电子作为家具领先和可靠的智能芯片解决方案的供应商,将继续努力为人类创造更舒适美好的生活。