高压MOS管在很多场景应用，通常高压MOS的特点是沟道区宽、漏极区大、导通损耗小、低导通电阻、耐高电压、高开关速度、栅极采用特殊工艺等，这些特点使得它的管子能够承受高电压。本期，合科泰给大家推荐一款经典且应用很广的高压MOS管HKTD7N65，可用于高压电源、快充、开关调节器和电机驱动等应用。

HKTD7N65的特性

这款产品具有很好的电学特性，它采用N沟道制作，漏源电压650V，栅源电压±30(V)，连续漏极电流7A，漏源导通电阻1.08欧姆，最小栅极法阈值电压2V，最大栅极阈值电压4V，耗散功率27.2mW。它具有高密度电池设计、耐高压能力强大、高速开关、大电流承受能力以及超低功耗特点，充分表征雪崩电压，重量约0.33克。

HKTD7N65采用TO-252封装，它具有占用空间小、节约插件成本、更高的可靠性、更低的热阻、更少的信号传输损失等特点。非常成熟的面贴装型封装类型，易于集成，产品质量值得信赖。HKTD7N65产品散热性能好，适用于中等功率和电压的应用，通常能够承受几十伏至几百伏的电压，并具有相应的电流承受能力，合科泰生产的这款产品最大连续漏极电流达7A，非常高。高压MOS适用于包括电源管理、电机驱动、开关电路等场景，客户需要根据具体的应用需求考虑电压、电流、功率以及其他特性，以确保选取合适的器件。

HKTD7N65的应用

高压MOSFET是一种特殊的金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用于高压电源、开关调节器、功率因数校正装置、电机驱动、频率变换器、PD快充和其他高功率电子设备中。合科泰生产的高压MOS管HKTD7N65可用于工业电机的驱动和控制、频率调制、电源转换和逆变器等高功率工业设备，电动机驱动、充电桩和车载充电器等高压电源电路也可以选择它，HKTD7N65还可应用于LED照明系统、磁性变压器、继电器和调光器等照明设备中。

在上图的18W PD快充充电器应用案例中，合科泰的HKTD7N65在里面起到开关的作用，充分发挥了高压MOSFET的高压和、开关速度很快大电流承受能力以及其低压驱动特性。

作为一家专业从事MOS管等分立器件产品的厂商，合科泰专注MOSFET生产多年，产品稳定、可靠、专业，管子广泛被客户应用和认可，是一家成熟的分立器件厂商，如果您对HKTD7N65高压MOS管感兴趣，可以联系合科泰客服咨询。